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J-GLOBAL ID：200903020876014510

強誘電体薄膜およびその形成方法とこれを用いた強誘電体薄膜素子

Inventor： 上田 路人 ,  飯島 賢二
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000030043
Publication number (International publication number)：2001223403
Application date： Feb. 08, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Pt直上へ強誘電体薄膜であるPZT薄膜を形成する場合には、結晶化が不安定であり特性の得られるペロブスカイト構造が得られなくなるという課題を有していた。【解決手段】 Pt電極上へ配向制御層として、比較的低温の600°C前後でもPt上にペロブスカイトが得られる材料を配向制御層として用いる。また、非ペロブスカイト材料としては、酸素八面体構造を有する材料によってもPZTを安定にペロブスカイト構造とすることが可能である。特にこの場合、非酸化物(金属状態)でこれらの薄膜を形成した後に酸化処理を施すことで緻密な配向制御層を形成することができ、強誘電体薄膜の良好な特性を安定に得ることが可能であった。

Claim (excerpt)：

第1の電極と、前記第1の電極上に設けられた配向制御層と、前記配向制御層上に設けられた強誘電体薄膜と、前記強誘電体薄膜上に設けられた第2の電極とを具備することを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (12)：

H01L 41/09 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/84 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  C23C 14/08

FI (10)：

H01L 21/316 Y ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/84 Z ,  C23C 14/08 K ,  H01L 41/08 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01L 41/22 A

F-Term (41)：

4K029AA06 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4M112AA02 ,  4M112BA10 ,  4M112CA23 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112DA11 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112EA12 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD18 ,  5F058BF12 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22