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J-GLOBAL ID:200903020895154160
水素検知器および水素検知システム
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
奥田 誠司
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003287315
Publication number (International publication number):2005055332
Application date: Aug. 06, 2003
Publication date: Mar. 03, 2005
Summary:
【課題】光ファイバを利用した高性能の水素検知器および水素検知システムを提供する。【解決手段】本発明による水素検出器は、グレーティング112を内蔵する少ファイバグレーティング111と、ファイバグレーティング111を支持する基板113と、ファイバグレーティング111の少なくとも一部に軸方向歪を付与することによってグレーティング112の少なくとも一部におけるグレーティング周期を変化させることができる伸縮部材117を備えている。この伸縮部材117は、水素吸蔵合金から形成されている。ファイバグレーティング111に光信号を入力し、ファイバグレーティング111から反射または透過してきた光信号に基づいて水素を検知することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
グレーティングを内蔵する少なくとも1つのファイバグレーティングと、
前記ファイバグレーティングを支持する支持部材と、
前記ファイバグレーティングの少なくとも一部に軸方向歪を付与することによって前記グレーティングの少なくとも一部におけるグレーティング周期を変化させることができる伸縮部材であって、水素吸蔵合金から形成されている伸縮部材と、
を備えており、
前記ファイバグレーティングに光信号を入力し、前記ファイバグレーティングから反射または透過してきた前記光信号に基づいて水素を検知する水素検出器。
IPC (2):
FI (2):
G01N21/27 B
, G01N21/45 A
F-Term (12):
2G059AA01
, 2G059BB01
, 2G059CC20
, 2G059EE04
, 2G059EE09
, 2G059EE10
, 2G059EE12
, 2G059FF04
, 2G059GG08
, 2G059JJ03
, 2G059JJ17
, 2G059KK03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
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二重化メモリを備えたディスク制御装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-174637
Applicant:富士通株式会社
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米国特許第6,185,344号明細書
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米国特許第6,519,041号明細書
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