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J-GLOBAL ID：200903020921919359

半導体のエッチング方法および半導体装置

Inventor： スレスチャンドラ・ムルシリアル・オイハ ,  スティーブン・ジョン・クレメンツ
Applicant, Patent owner： ノーザン・テレコム・リミテッド
Agent (1)： 泉 和人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994045068
Publication number (International publication number)：1994291093
Application date： Feb. 18, 1994
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ヘテロ構造化合物半導体をプラズマエッチングする方法を提供する。【構成】 ヘテロ構造化合物半導体の主表面を選択的にマスクし、マスクされたヘテロ構造を、二酸化炭素、亜酸化窒素またはその混合物と共にメタン及び水素の混合物を含む無線周波数プラズマに露出し、それによって、ヘテロ構造化合物半導体のマスクされていない部分を主表面にほぼ垂直な方向に異方性エッチングする方法が提供される。

Claim (excerpt)：

ヘテロ構造化合物半導体の異方性ドライエッチング方法において:ヘテロ構造化合物半導体の主表面を選択的にマスクし、マスクされたヘテロ構造化合物半導体を、二酸化炭素、亜酸化窒素またはその混合物と共にメタン及び水素の混合物を含む無線周波数プラズマに露出し、それによって、ヘテロ構造化合物半導体のマスクされていない部分を主表面にほぼ垂直な方向に異方性エッチングをすることを特徴とする半導体のエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 29/205 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭61-247033