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J-GLOBAL ID：200903020946444940

窒化物系半導体発光素子およびその製造方法

Inventor：
畑 雅幸

About 畑 雅幸

, 
狩野 隆司

About 狩野 隆司

, 
野村 康彦

About 野村 康彦


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002269799
Publication number (International publication number)：2004111514
Application date： Sep. 17, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】活性層の結晶性を向上させることにより活性層の発光強度を向上させることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体発光素子は、n型クラッド層2と、MQW活性層12と、n型クラッド層2とMQW活性層12との間に形成され、n型クラッド層2よりも大きいバンドギャップを有するとともに、n型クラッド層2とMQW活性層12との中間の格子定数を有するオーバフロー防止層11と、p型クラッド層4とMQW活性層12との間に形成され、p型クラッド層4よりも大きいバンドギャップを有するとともに、p型クラッド層4とMQW活性層12との中間の格子定数を有するオーバフロー防止層13とを備えている。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
第1窒化物系半導体層と、 窒化物系半導体からなる活性層と、 前記第1窒化物系半導体層と前記活性層との間に形成され、前記第1窒化物系半導体層よりも大きいバンドギャップを有するとともに、前記第1窒化物系半導体層と前記活性層との中間の格子定数を有するキャリアのオーバフローを防止するための第2窒化物系半導体層とを備えた、窒化物系半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L33/00 ,  H01S5/343
FI (2)：
H01L33/00 C ,  H01S5/343 610
F-Term (33)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA76 ,  5F041CA92 ,  5F041CB13 ,  5F041DA03 ,  5F041DA43 ,  5F073AA13 ,  5F073AA42 ,  5F073AA61 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA30 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (13)
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