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J-GLOBAL ID:200903020954459531
半導体発光装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
則近 憲佑
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992065769
Publication number (International publication number):1993267715
Application date: Mar. 24, 1992
Publication date: Oct. 15, 1993
Summary:
【要約】【目的】 発光層における電流分布を改善することで側面近傍での発光を抑制し、得られる光の波長の単一化の向上を図り得る半導体発光装置を提供することを目的とする。【構成】 異なる導電型を呈する複数の半導体層を積層し、表裏二つの主面を有して形成され、キャリアが再結合して発した光が前記表面から取り出される発光層と、該発光層の側面近傍に形成された電流阻止層と、前記発光層の表面に電気的に接続され前記発光層の表面の中央部上に形成された第1の電極と、前記発光層の裏面に電気的に接続された第2の電極とを具備することを特徴とする半導体発光装置。
Claim (excerpt):
異なる導電型を呈する複数の半導体層を積層し、表裏二つの主面を有して形成され、キャリアが再結合して発した光が前記表面から取り出される発光層と、該発光層の側面近傍に形成された電流阻止層と、前記発光層の表面に電気的に接続され前記発光層の表面の中央部近傍上に形成された第1の電極と、前記発光層の裏面に電気的に接続された第2の電極とを具備することを特徴とする半導体発光装置。
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