Pat

J-GLOBAL ID：200903020966413057

高密度配線基板の製造方法

Inventor： 木下 暢 ,  藤橋 岳 ,  浅見 博
Applicant, Patent owner： 住友大阪セメント株式会社 ,  株式会社スミセデバイス
Agent (1)： 土橋 皓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998338409
Publication number (International publication number)：2000151077
Application date： Nov. 13, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 微細、精緻な金属配線を配線基板全域に形成可能で、金属配線間の絶縁性、金属配線の導電性等に優れ、かつ長期的信頼性に優れた高密度配線基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上にパラジウム高分子キレート化合物を含有する解像性触媒層を形成し、解像性触媒層に露光用マスクを介して露光し、現像除去して配線形成用触媒層および電極形成用触媒層を形成し、前記配線形成用触媒層上に配線形成用金属化学メッキ層を、前記電極形成用触媒層上に電極用金属化学メッキ層を形成し、この電極用金属化学メッキ層上に電気メッキ用マスクを設置して前記各金属化学メッキ層の表面上に金属電気メッキ層を形成し、前記電気メッキ用マスクを除去し、前記電気メッキ用マスクの設置箇所をソフトエッチング除去し、この箇所の前記解像性触媒層を除去することを少なくとも含むように構成する。

Claim (excerpt)：

基板表面に所定パターンの配線を形成した配線基板の製造方法であって、基板上にパラジウムとシュウ酸とポリビニルアルコールとから構成されたパラジウム高分子キレート化合物を含有する解像性触媒層を形成する工程と、前記解像性触媒層に所定配線パターンの開口部と電気メッキ用電極形成のための開口部とを有する露光用マスクを介して紫外線を照射して露光し、非照射部のみ現像除去して所定配線パターンの配線形成用触媒層および電気メッキ用電極を形成するための電極形成用触媒層を形成する工程と、前記配線形成用触媒層上に配線形成用金属化学メッキ層を、前記電極形成用触媒層上に電極用金属化学メッキ層を、それぞれ形成する工程と、前記電極用金属化学メッキ層上に、所定パターンの電気メッキ用マスクを設置し、前記配線形成用金属化学メッキ層と前記電極用金属化学メッキ層とを利用して前記各金属化学メッキ層の表面上に金属電気メッキ層を形成する工程と、前記電気メッキ用マスクを除去した後、前記電極用金属化学メッキ層の電気メッキ用マスクが設置されていた箇所をソフトエッチング液を用いて除去する工程と、前記解像性触媒層の電極用金属化学メッキ層が除去された箇所を除去する工程とを少なくとも含むことを特徴とする高密度配線基板の製造方法。

IPC (2)：

H05K 3/18 ,  H01B 5/14

FI (3)：

H05K 3/18 C ,  H05K 3/18 H ,  H01B 5/14

F-Term (21)：

5E343AA16 ,  5E343AA23 ,  5E343BB14 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB44 ,  5E343BB49 ,  5E343CC44 ,  5E343CC73 ,  5E343CC78 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE32 ,  5E343ER26 ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB02 ,  5G307FC10 ,  5G307GA06 ,  5G307GC02