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J-GLOBAL ID：200903020966752617

半導体レーザ装置の製造方法

Inventor： 三浦 猛
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992232835
Publication number (International publication number)：1994061582
Application date： Aug. 06, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 リッジ導波路型の半導体レーザ装置のリッジ幅及びリッジ両サイドの上クラッド層厚の制御性を向上できる半導体レーザ装置の製造方法を得る。【構成】 半絶縁基板15の第1の主面にドライエッチングによりストライプ状の溝40を形成し、この溝40内部にp型AlGaAs層4aを埋め込み結晶成長して、リッジ導波路型の半導体レーザ装置の光導波路を構成するリッジを形成するようにし、また、リッジ両サイドの上クラッド層の層厚(クラッド層残し厚)をp型AlGaAs層4bの結晶成長層厚により制御するようにした。

Claim (excerpt)：

半絶縁基板の第1の主面にドライエッチングによりストライプ状の溝を形成する工程と、上記溝内部に第1の第1導電型半導体層を埋め込み結晶成長し、さらに上記基板上及び上記第1の第1導電型半導体層上に上記第1の第1導電型半導体層と同じ半導体材料からなる第2の第1導電型半導体層を結晶成長する工程と、上記第2の第1導電型半導体層上に活性層,第1の第2導電型半導体層,及び第2の第2導電型半導体層を順次に結晶成長する工程と、上記第2の第2導電型半導体層上に第1の電極を、上記半絶縁性基板の第2の主面側に上記第1の第1導電型半導体層と電気的に接続された第2の電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。