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J-GLOBAL ID：200903020979315925

半導体レーザ素子

Inventor： 森岡 達也 ,  厚主 文弘 ,  奥村 敏之 ,  松本 成人
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  古河電気工業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992095581
Publication number (International publication number)：1993291691
Application date： Apr. 15, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 モニター用の光出力を十分に確保でき、受光素子との位置合わせに高精度を必要とせず、しかも少ない工程数で作製することができる半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体レーザ素子の2つの共振器端面4a、4bのうち、1方の共振器端面4bの端面反射率が80〜90%に調節されていることにより、この共振器端面4b側からモニター用としての十分な光出力を得ることができる。他方の共振器端面4aは劈開面であり、従って端面反射率が80から90%となるよう片方の共振器端面4bのみ処理すればよいので、半導体レーザ素子の製造工程を少なくすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体レーザ素子の2つの共振器端面のうち1方の共振器端面は劈開面とされ、他方の共振器端面の端面反射率が80〜90%とされている半導体レーザ素子。