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J-GLOBAL ID：200903020987426027

電子デバイス用メツキ被膜

Inventor： 小笠原 敦 ,  田中 栄次
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991285545
Publication number (International publication number)：1993098456
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 環境耐性に優れるメッキ被膜を提供し、電子デバイスの動作電圧や抵抗値の変動を抑える。【構成】 NiP無電解メッキのリン含有量を20〜35原子%とする。メッキ被膜中のリン含有量を高めるには、メッキ液の組成やメッキ条件を選べばよい。例えば、次亜リン酸還元型アルカリ性メッキ液、特に苛性アルカリ性メッキ液を用いた場合に比較的リン含有量の高いメッキ被膜が形成される。

Claim (excerpt)：

ニッケル及びリンを主体とし、リンの含有量が20〜35原子%であることを特徴とする電子デバイス用メッキ被膜。

IPC (3)：

C23C 18/32 ,  H01L 21/50 ,  H01L 23/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-341573
  
• 特開昭57-145351
  
• 特開昭54-037469