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J-GLOBAL ID：200903020990976275

薄膜を成長させるための方法と装置

Inventor：
スントラ,トゥオモ

About スントラ,トゥオモ

, 
リンドフォルス,スヴェン

About リンドフォルス,スヴェン


Applicant, Patent owner：
ミクロケミア オイ

About ミクロケミア オイ


Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996518300
Publication number (International publication number)：1997508890
Application date： Nov. 28, 1995
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：
【要約】本発明は、基板上に薄膜を成長させるための方法と装置に関するが、この方法では、反応スペース(21)に設置された基板は、薄膜を形成する目的のために、少なくとも2つの気相反応物質の、交互に繰り返される表面反応の対象となる。本方法に従って、前記反応物質は気相パルスの形態で繰り返し交互に供給され、各反応物質はその固有の供給源から個別に、前記反応スペース(21)に供給され、前記気相反応物質は、基板上に固体薄膜化合物を形成する目的のために基板の表面と反応させられる。本発明では、前記反応スペースのガス容積は、真空ポンプによって、2つの連続する気相反応物質パルスの間に、本質的に完全に減圧排気される。異なった時間に異なった出発原料の化学種を装置に送り込むことによって、出発原料はお互いに効果的に分離され、時期尚早な相互反応を防止する。
Claim (excerpt)：
反応スペース(1;21)に置いた基板に薄膜形成のために交互に繰り返される少なくとも2つの気相反応物質との表面反応を行なわせる、基板上に薄膜を成長させるための方法であって、、前記方法が、 - 個別にそれ自体の供給源から前記反応物質を気相パルスの形で繰り返し交互に前記反応スペース(1;21)に供給するステップと、 - 前記基板上に個体薄膜化合物を形成する目的のために、前記気相反応物質を基板の表面と反応させるステップとからなり、 - 前記反応スペースのガス容積が、2つの連続する気相反応パルスの間に本質的に完全に減圧排気されることを特徴とする、 方法。
IPC (5)：
C30B 25/02 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/52 ,  C30B 29/46 ,  C30B 35/00
FI (5)：
C30B 25/02 Z ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/52 ,  C30B 29/46 ,  C30B 35/00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • 特開平1-264993
  • 特開昭51-077589
  • 特開昭55-130896
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