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J-GLOBAL ID：200903020999318785

高分子フオトレジスト材料およびフオトリソグラフイー方法

Inventor： トーマス・エム・レスリー
Applicant, Patent owner： トーマス・エム・レスリー
Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991222801
Publication number (International publication number)：1993005994
Application date： Sep. 03, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 300 nm以下の深紫外域または電子ビームで露光可能で、1ミクロン以下、好ましくは0.5 ミクロン以下の高解像度を示す、自己現像可能なフォトレジスト材料。【構成】 高分子フォトレジスト材料とそれを用いたフォトリソグラフィー法。光学的に透明な皮膜を形成し、深UV線又は相当する電子ビームに照射すると約1以下の量子収率で崩壊する、次式で示される主鎖を持つ高分子フォトレジスト材料を用いる。【化16】式中、Xは炭素、酸素または硫黄であり、Yは炭素であるか、またはXが硫黄以外の時にはYは硫黄もしくは(S=O)であってもよく、Rはそれぞれ別個に水素、アルキル基またはアリール基である。

Claim (excerpt)：

塗布時点では光学的に透明な高分子材料であり、十分なパワー密度のエネルギー束に曝されると約1以下の量子収率で崩壊する、塗布可能なフォトレジスト材料。

IPC (2)：

G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027