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J-GLOBAL ID：200903021001303476
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991279399
Publication number (International publication number)：1993121404
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】多層配線構造を有する半導体装置において、微細な層間接続孔内に金属膜を均一に堆積する方法を提供する。【構成】層間絶縁膜4上に、第1の導電膜5と絶縁膜6を形成し、各々選択的に除去することで層間接続孔8を形成する。次に、第2の導電膜7を被着し選択的に除去することで層間接続孔8の内壁のみに第2の導電膜7を形成する。次に絶縁膜6をマスクにして、第1及び第2導電膜よって、めっき電流を流すことにより層間接続孔8内にのみ、めっき膜9を形成する。【効果】微細な層間接続孔内に、金属膜の埋設が可能となる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に第1の配線パターンを形成し、続いて層間絶縁膜、第1の導電膜、絶縁膜を順次形成する工程と、前記第1の配線パターン上に、開口部を形成し、続いて第2の導電膜を被着し、異方性エッチングにより前記開口部の側面にのみ前記第2の導電膜を残存させる工程と、次に前記絶縁膜をマスクとし、第1の導電膜及び第2の導電膜をめっき電流路として、電解めっき膜を前記層間絶縁膜の前記開口部内に選択的に形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/3205
, C25D 7/12
, H01L 21/90
