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J-GLOBAL ID：200903021018999440
レジストパターンの形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
塩野入 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993047639
Publication number (International publication number)：1994260381
Application date： Mar. 09, 1993
Publication date： Sep. 16, 1994
Summary：
【要約】【目的】 複数のフォトリソグラフィ処理によりレジストパターンを形成する場合に、フォトリソグラフィ処理の数を減少させるレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】 基板または薄膜上にポジレジストを塗布するレジスト塗布工程S1と、該ポジレジストにフォトマスクを用いてマスク露光を行う露光工程と、露光されたポジレジストを現像する現像工程S4からなるフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、露光工程を残膜部分が生じるようなアンダー露光条件によりマスク露光を行う工程S2と、残膜部分が生じないようなジャスト露光条件によるマスク露光を行う工程S3とする。
Claim (excerpt)：
基板または薄膜上にポジレジストを塗布するレジスト塗布工程と、該ポジレジストにフォトマスクを用いてマスク露光を行う露光工程と、露光されたポジレジストを現像する現像工程からなるフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法において、前記露光工程は、(a)前記ポジレジストに残膜部分が生じるようなアンダー露光条件によりマスク露光を行う工程と、(b)前記アンダー露光条件による露光工程後に、前記ポジレジストに残膜部分が生じないようなジャスト露光条件によるマスク露光を行う工程とからなることを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
