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J-GLOBAL ID：200903021027184920

半導体装置の製造方法

Inventor： 岸田 剛信 ,  光嶋 猛
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994010265
Publication number (International publication number)：1995221047
Application date： Feb. 01, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体基板エッジ部でのパーティクルを低減させる。【構成】 半導体基板上にTi膜5およびTiN膜6をスパッタ形成した際、Ti膜5がTiN膜6よりも半導体基板エッジ側(外側)まで成長する。そのため、その後のW成長工程では、半導体基板エッジ部におけるTi膜5の露出した場所で、材料ガスであるWF6とTi膜5とが反応し、パーティクルの原因となる。そこで、Ti膜5およびTiN膜6の形成後、半導体基板表面をNH3あるいN2雰囲気で熱処理することで、露出したTi膜5を窒化する。この結果、Wエッチバック時に、WエッチングガスであるSF6ガスとTi膜5との反応を防止することができ、Ti膜剥がれによるパーティクルを防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたコンタクトホール内に第1の密着層を形成する工程と、前記第1の密着層上に第2の密着層を形成する工程と、前記第2の密着層で被覆されていない前記第1の密着層表面を窒化する工程と、前記第2の密着層上にタングステンを堆積して前記コンタクトホールを埋め込む工程と、前記タングステンと前記第2および第1の密着層とをエッチングして前記コンタクトホール内にのみ前記タングステンおよび前記第1および第2の密着層を残す工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/768