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J-GLOBAL ID：200903021032839501

炭素を堆積させる方法と装置

Inventor： ロブルス, ステュアルド ,  ヤウ, ウェイ-ファン ,  シュ, ピン ,  シン, カウシャル
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000513989
Publication number (International publication number)：2001518560
Application date： Aug. 12, 1998
Publication date： Oct. 16, 2001
Summary：

【要約】炭素ベースの誘電体膜を、最初にプロセスガスを処理チャンバに流入させることによって、処理チャンバ内の基板上に堆積させる。プロセスガスは炭素の気体ソース(メタン(CH4 )など)とハロゲンの気体ソース(フッ素のソース、例えばC4 F8 など)を含む。次にプラズマが、第1及び第2RFパワー成分を加えることによって、そのプロセスガスから形成される。第2RF成分は約200kHz〜2MHzの周波数と、約5W〜75Wのパワーレベルを持つことが望ましい。第1及び第2RFパワー成分をある期間加えて、ハロゲンドープト炭素ベース層を堆積させる。結果としての炭素ベース膜は低い誘電率と良好な隙間充填性を持つ。膜はまた、その後の処理の間、最小の収縮を示し、その後でアニールしてもよい。

Claim (excerpt)：

処理チャンバ内で基板上に堆積させる誘電体膜の特性を制御する方法であって、 炭素の第1気体ソースとハロゲンの気体ソースとを含む第1プロセスガスを処理チャンバへ流入させるステップ、 第2周波数よりも高い第1周波数を有する第1RF成分と第2周波数を有する第2RF成分とを用いて前記第1プロセスガスを励起して前記第1プロセスガスからプラズマを形成するステップ、及び 前記励起を第1期間、維持してハロゲンドープト炭素ベース層を堆積させるステップ、を有する方法。

IPC (2)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101

FI (2)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 Z

F-Term (23)：

4G046CA01 ,  4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CB08 ,  4G046CC06 ,  4G046CC09 ,  4K030AA02 ,  4K030AA04 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA20 ,  4K030BA24 ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA00 ,  4K030JA01 ,  4K030JA18 ,  4K030KA41 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 被膜形成装置および被膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190030   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-034787
  
• 高濃度の四面体配位炭素を含む炭素被覆遮断フィルム
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-501227   Applicant：モービル・オイル・コーポレーション