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J-GLOBAL ID：200903021044375284

絶縁膜及びその形成方法

Inventor： 山口 城 ,  福山 俊一 ,  中田 義弘 ,  片山 倫子
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997087832
Publication number (International publication number)：1998284476
Application date： Apr. 07, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 絶縁膜及びその形成方法に関し、誘電率及び吸湿性が低く、また、吸湿に依る加水分解を生ずることがなく、しかも、金属配線との密着性も優れている絶縁膜を実現しようとする。【解決手段】 SiCFx (x=1〜3)を主成分とする膜、即ち、SiCF膜3、CF膜4、SiCFx (x=1〜3)を主成分とする膜、即ち、SiCF膜5を順に積層形成して半導体集積回路装置に於ける絶縁膜として用いる。

Claim (excerpt)：

SiCFx (x=1〜3)を主成分とする膜及びCF膜及びSiCFx (x=1〜3)を主成分とする膜を順に積層形成してなることを特徴とする絶縁膜。