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J-GLOBAL ID：200903021049091730

p型電極構造およびそれを有する半導体発光素子

Inventor： 岩田 普
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 渡辺 喜平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996246626
Publication number (International publication number)：1998093134
Application date： Sep. 18, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 抵抗が低く信頼性の高いp型電極構造と、動作電圧が低く、歩留まりの高い発光素子とを提供する。【解決手段】 基板52上に、nクラッド層53、活性層54、pクラッド層55、p型半導体層56、電流狭窄層57、n型半導体層58、金属層59を形成し、n型半導体層58の伝導帯端は、p型半導体層56の価電子帯端よりもエネルギー位置を深くし、金属層59のフェルミレベルはn型半導体層58の伝導帯端よりエネルギー位置を浅くする。

Claim (excerpt)：

p型半導体層を有するp型電極構造において、p型半導体層上にn型半導体層と金属層とを有するとともに、そのn型半導体層の伝導帯端がp型半導体層の価電子帯端よりもエネルギー位置が深いものであり、金属層に正の電位を掛け、金属層からn型半導体層を介してp型半導体層に電流を注入して動作させることを特徴とするp型電極構造。

IPC (6)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01S 3/18

FI (5)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 G ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72