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J-GLOBAL ID：200903021053072677
磁気検知装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
飯田 昭夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002006399
Publication number (International publication number)：2003207553
Application date： Jan. 15, 2002
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】高密度で記録された磁気記憶パターン、高速で変化する磁界等の被検知磁界を、高感度でかつ高速に検知することができる磁気検知装置を提供する。【解決手段】この磁気検知装置は、例えば相対的に移動する被検知磁界の変化を検知し、被検知磁界の変化を示す検知信号を出力する。導体層6上に薄膜の磁性膜を形成してなる薄膜磁気検知素子1と、薄膜磁気検知素子1の近傍に配置されると共に導体層6に接続され、磁性膜2の持つ磁気共鳴周波数の付近で磁気特性が変化することにより発振周波数を変化させる発振回路8と、を備える。被検知磁界の変化により磁性膜2の磁気共鳴周波数が変化し、磁気共鳴周波数近傍の磁気特性の変化に応じて発振回路8の発振周波数が変化し、被検知磁界の変化を発振周波数の変化として発振回路8から出力する。
Claim (excerpt)：
被検知磁界を受ける磁性体と、該磁性体の限界周波数領域で発振する発振手段と、を備え、該発振手段は、該磁性体が複素透磁率の虚部である損失成分が増加し、実部である有効透磁率が急激に低下する過渡的な限界周波数領域で発振し、該被検知磁界の変化を該限界周波数領域の発振周波数の変化として検知することを特徴とする磁気検知装置。
F-Term (5)：
2G017AA01
, 2G017AD65
, 2G017AD69
, 2G017BA03
, 2G017BA05
