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J-GLOBAL ID:200903021066610988
炭素系メタン吸蔵材料
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三枝 英二 (外8名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000103069
Publication number (International publication number):2001287907
Application date: Apr. 05, 2000
Publication date: Oct. 16, 2001
Summary:
【要約】【課題】常温に近い温度において、優れたガス吸蔵性能を発揮するガス吸蔵材料を提供することを主な目的とする。【解決手段】組成式MC<SB>x</SB>で示される物質からなり、0°C以上の温度でメタンを吸蔵する材料(組成式中、Mはセシウムまたはルビジウムであり、7<x<60である)。
Claim (excerpt):
組成式MC<SB>x</SB>で示される物質からなり、0°C以上の温度でメタンを吸蔵する炭素系材料(組成式中、Mはセシウムまたはルビジウムであり、7<x≦60である)。
IPC (3):
C01B 31/30
, B01J 20/20
, C22C 29/06
FI (3):
C01B 31/30
, B01J 20/20 D
, C22C 29/06 Z
F-Term (9):
4G046MA00
, 4G046MB02
, 4G046MB08
, 4G046MC01
, 4G046MC12
, 4G066AA42B
, 4G066BA38
, 4G066CA51
, 4G066GA14
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