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J-GLOBAL ID：200903021084040358

窒化ゲート酸化膜を有するCMOSイメジャーおよびその製造方法

Inventor： リ,チウタオ
Applicant, Patent owner： マイクロン テクノロジー, インク.
Agent (2)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008527981
Publication number (International publication number)：2009506542
Application date： Aug. 16, 2006
Publication date： Feb. 12, 2009
Summary：

暗電流を減少させたCMOSイメジャーとそれを製造するための方法。一般的な窒化ゲート酸化膜の厚さのおおよそ2倍の厚さを有する窒化ゲート酸化膜が、CMOSイメジャーの光感知領域の上に設けられる。このゲート酸化膜は、フォトセンサーを保護するための改良された汚染物質防護用のバリヤー(障壁)となり、フォトセンサーのp+ピンド領域(p+ pinned region)の表面にp+インプラント分布(p+ implant distribution)を含み、フォトセンサー表面の光子反射を減少し、その結果、暗電流を減少させることができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

画素セルであって、 基板の第1の領域のフォトセンサーと、 前記基板上の窒化ゲート酸化膜層とを備え、 前記窒化ゲート酸化膜層は、前記第1の領域の上に位置する第1の厚さと、前記基板の第2の領域の上に位置する第2の厚さとを有しており、 前記第1の厚さは、前記第2の厚さのおおよそ2倍である、ことを特徴とする画素セル。

IPC (4)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092

FI (3)：

H01L27/14 A ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 321N

F-Term (17)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  5F048AA07 ,  5F048AB03 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA17 ,  5F048BG13