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J-GLOBAL ID：200903021112019700

半導体装置

Inventor： 山本 充彦 ,  水谷 徹 ,  三好 清司 ,  伊戸川 寛昭 ,  宝本 敏治 ,  向山 裕由
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992090728
Publication number (International publication number)：1993291574
Application date： Apr. 10, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明はSOI構造の半導体装置に関し、MOSトランジスタのバックゲートの依存性の軽減を目的とする。【構成】 N型の素子基板13と異なる極性のPチャネルMOSトランジスタQP を、素子基板13の表面から酸化膜12に到達する深さのPウェル14で囲む。

Claim (excerpt)：

支持基板(11)上に絶縁膜(12)を介して形成された素子基板(13)に、複数のMOSトランジスタ(QP ,QN )が形成された半導体装置において、前記MOSトランジスタ(QP ,QN )のうち前記素子基板(13)と異なる極性のチャネルのMOSトランジスタ(QP )を、前記素子基板(13)の表面から前記絶縁膜(12)に到達する深さのウェル(14)で囲んだ構造としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 27/08 321 B