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J-GLOBAL ID:200903021123610434
光送信回路
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
古谷 史旺
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002030406
Publication number (International publication number):2003234703
Application date: Feb. 07, 2002
Publication date: Aug. 22, 2003
Summary:
【要約】【課題】 主信号光である交番位相反転パルス光にできるだけ劣化を与えない安価なバイアス制御回路を備える。【解決手段】 波長λ0 の連続光を繰り返し周波数f0 Hz の信号で変調して交番位相反転パルス光を出力する光変調器を備えた光送信回路において、光変調器にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、周波数分解能がf0 Hz 以下で、光変調器の出力光の光パワースペクトルを測定する光パワースペクトル測定手段と、光変調器の出力光の光パワースペクトルの測定により、波長λ0 のキャリアスペクトル成分のパワー密度が最小になるように、あるいは両側帯波スペクトル成分のパワー密度が最大になるように、バイアス電圧印加手段を介してバイアス電圧を制御する制御回路とを備える。
Claim (excerpt):
波長λ0 の連続光を繰り返し周波数f0 Hz の信号で変調して交番位相反転パルス光を出力する光変調器を備えた光送信回路において、前記光変調器にバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、周波数分解能がf0 Hz 以下で、前記光変調器の出力光の光パワースペクトルを測定する光パワースペクトル測定手段と、前記光変調器の出力光の光パワースペクトルの測定により、波長λ0 のキャリアスペクトル成分のパワー密度が最小になるように、あるいは両側帯波スペクトル成分のパワー密度が最大になるように、前記バイアス電圧印加手段を介してバイアス電圧を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする光送信回路。
IPC (8):
H04B 10/04
, G02F 1/01
, G02F 1/03 502
, G02F 1/035
, H04B 10/06
, H04B 10/14
, H04B 10/26
, H04B 10/28
FI (4):
G02F 1/01 B
, G02F 1/03 502
, G02F 1/035
, H04B 9/00 Y
F-Term (19):
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079BA01
, 2H079CA05
, 2H079DA03
, 2H079EA05
, 2H079EB15
, 2H079FA01
, 2H079FA04
, 2H079HA13
, 5K002AA01
, 5K002AA02
, 5K002BA04
, 5K002BA05
, 5K002BA13
, 5K002BA21
, 5K002DA05
, 5K002EA05
, 5K002FA01
Patent cited by the Patent:
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