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J-GLOBAL ID：200903021123793628

薄膜半導体装置の製造方法及びレ-ザ照射装置

Inventor： 菅野 幸保 ,  藤野 昌宏 ,  眞野 三千雄 ,  浅野 明彦 ,  猪野 益充
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 鈴木 晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999002385
Publication number (International publication number)：2000208769
Application date： Jan. 08, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 絶縁基板に結晶性の優れた多結晶シリコンからなる半導体薄膜を形成し、薄膜半導体装置を高性能化する。【解決手段】 薄膜半導体装置100を製造する為、成膜工程を行ない、絶縁基板0の上に非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶の半導体薄膜を形成する。次に、照射工程を行ない、レーザ光50を半導体薄膜に照射して非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶から比較的粒径の大きな多結晶に転換する。この後形成 工程を行ない、多結晶化された半導体薄膜を活性層として所定の領域に薄膜トランジスタを集積形成する。ここでは、画素アレイ部104、垂直スキャナ105、水平スキャナ106a乃至106cなどの領域に薄膜トランジスタを集積形成している。照射工程では、レーザ光50の断面形状SCT2を照射対象となる領域RGNに合わせて可変絞り57により可変調節し、領域RGNを少なくとも一回一括照射して、薄膜トランジスタの特性の均一化を図る。

Claim (excerpt)：

基板の上に非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶の半導体薄膜を形成する成膜工程と、エネルギービームを該半導体薄膜に照射して非晶質又は比較的粒径の小さな多結晶から比較的粒径の大きな多結晶に転換する照射工程と多結晶に転換された該半導体薄膜を活性層として所定の領域に薄膜トランジスタを集積形成する形成工程とからなる薄膜半導体装置の製造方法において、前記照射工程は、該エネルギービームの断面形状を該領域に合わせて可変調節し該領域を少なくとも一回一括照射で結晶化することにより薄膜トランジスタの特性の均一化を図ることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (3)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F

F-Term (53)：

5F052AA01 ,  5F052BA02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA01 ,  5F052JA02 ,  5F052JB04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB07 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ14 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN12 ,  5F110NN15 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23