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J-GLOBAL ID：200903021126949327

窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法

Inventor： 八重樫 誠司
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 小越 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000090656
Publication number (International publication number)：2001294500
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 青色発光材料として好適な良質の窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記単結晶基板として、岩塩構造を持つM<SP>1</SP><SB>(1-x)</SB>M<SP>2</SP><SB>x</SB>Y(但し、M<SP>1</SP>、M<SP>2</SP>:互いに異なる金属元素、Y:炭素、窒素、硼素又は酸素の1種又は2種以上、0<x<1)、好ましくは、その(111)面、特に好ましくは、M<SP>1</SP>YとM<SP>2</SP>Yの(111)面の格子間隔が窒化ガリウム系化合物半導体の(0001)面の格子間隔に対して、一方が大きく、他方が小さい、即ち格子不整合率において、逆符号を示すものを用いる。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に窒化ガリウム系化合物半導体結晶を成長させる方法において、前記単結晶基板として、岩塩構造を持つM<SP>1</SP><SB>(1-x)</SB>M<SP>2</SP><SB>x</SB>Y(但し、M<SP>1</SP>、M<SP>2</SP>:互いに異なる金属元素、Y:炭素、窒素、硼素又は酸素の1種又は2種以上、0<x<1)を用いることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (22)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA03 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF07 ,  5F045AF16 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11