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J-GLOBAL ID：200903021131289890
面発光型半導体レーザとそのアレー及び面発光型発光ダイオードとそのアレー及び面発光型pnpn素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991212523
Publication number (International publication number)：1993055704
Application date： Aug. 26, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 自然超格子を利用した面発光型半導体レーザ及び面発光型発光ダイオードにおいて、偏波方向の制御を行う。【構成】 半導体GaAs基板1上に自然超格子を形成したGaInP活性層3を含み、面発光型半導体レーザでは基板面に対し垂直方向に共振器を有する。この構造により、偏波方向を[110]方向に安定に制御することが可能となる。また、これらの素子を同一基板上に集積化した半導体レーザアレーでは各素子の偏波方向を[110]方向に揃えることができる。半導体レーザだけでなく面発光型発光ダイオード等の発光素子にも適用できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、自然超格子を形成した活性層を含む半導体層を有し、該基板面に対し垂直方向に共振器を有することを特徴とする面発光型半導体レーザ。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 33/00
, H01S 3/25
Cited by examiner (8)
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