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J-GLOBAL ID：200903021144220601

窒化物半導体チップの製造方法

Inventor： 高倉 輝芳 ,  津田 有三
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999358557
Publication number (International publication number)：2001176823
Application date： Dec. 17, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 窒化物半導体を基板とする光を発する活性層を含む窒化物半導体ウエハーをチップ状に分割する際に、切断面、界面のクラック、チッピングの発生を防止し、窒化物半導体の結晶性を損なうことなく優れた発光性能を有する窒化物半導体チップを得ると共に、歩留良く所望の形とサイズに切断する方法を提供する。【解決手段】 窒化物半導体基板上に、p型層とn型層によって挟まれた活性層を有する多層構造からなる窒化物半導体層を結晶成長させたウエハーから半導体チップを製造する方法において、第Aの割り溝を前記ウエハーの結晶成長面に形成する工程と、前記第Aの割り溝幅よりも狭い割り溝を形成する工程とを具備し、前記複数種の割り溝を用いて半導体チップ分割する。特に、窒化物半導体基板に塩素をド-ピングすることによって、チップ分割が容易になる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体基板上に、p型層とn型層によって挟まれた活性層を有する多層構造からなる窒化物半導体層を結晶成長させたウエハーから窒化物半導体チップを製造する方法において、第Aの割り溝を前記ウエハーの結晶成長面に形成する工程と、前記第Aの割り溝に対応する位置で、かつ、前記第Aの割り溝幅よりも狭い割り溝を形成する工程とを具備し、前記割り溝に沿って、半導体チップ分割することを特徴とする窒化物半導体チップの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/301 ,  H01S 5/10 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01S 5/10 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/78 L

F-Term (13)：

5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA34