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J-GLOBAL ID：200903021149787863

高周波スイッチング回路用Co基非晶質磁性合金

Inventor： 猪俣 浩一郎 ,  長谷川 ▲迪▼雄 ,  小野寺 利浩
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993093788
Publication number (International publication number)：1994025806
Application date： Jun. 25, 1981
Publication date： Feb. 01, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、可飽和リアクタを有し高周波でも高効率で安定に動作する磁気増幅器を備え、高周波領域での良好なスイッチング特性を有する高周波スイッチング回路用Co基非晶質磁性合金を提供することを目的とする。【構成】 本発明の高周波スイッチング回路用Co基非晶質磁性合金は、可飽和リアクタを用いた磁気増幅器を具備する高周波スイッチング回路用Co基非晶質磁性合金において、原子%で(Co1-a-b-c Fea Nib Mc )1-d Xd0.04≦a≦0.15 0≦b≦0.100.005 ≦c≦0.10 0.15≦d≦0.30Mは、Nb、Cr、Mo、V、Ta、Ti、Zr、Wから選ばれる少なくとも一種の元素Xは、BまたはB+SiただしSiを含有する場合のSi量は25原子%以下で示され、かつ20〜100KHzで磁気ヒステリシス曲線のBr /B10が85%以上、保磁力Hc が0.35Oe以下の特性を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

可飽和リアクタを用いた磁気増幅器を具備する高周波スイッチング回路用Co基非晶質磁性合金において、原子%で(Co1-a-b-c Fea Nib Mc )1-d Xd0.04≦a≦0.15 0≦b≦0.100.005 ≦c≦0.10 0.15≦d≦0.30Mは、Nb、Cr、Mo、V、Ta、Ti、Zr、Wから選ばれる少なくとも一種の元素Xは、BまたはB+SiただしSiを含有する場合のSi量は25原子%以下で示され、かつ20〜100KHzで磁気ヒステリシス曲線のBr /B10が85%以上、保磁力Hc が0.350e以下の特性を有することを特徴とする高周波スイッチング回路用Co基非晶質磁性合金。

IPC (5)：

C22C 45/02 ,  C22C 45/04 ,  G05F 1/32 ,  H01F 1/153 ,  H02M 3/28