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J-GLOBAL ID：200903021192479838

シリコンウェハーのバックグラインド方法

Inventor： 上原 寿茂 ,  太田 共久 ,  山口 豊
Applicant, Patent owner： 日立化成工業株式会社
Agent (1)： 穂高 哲夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993163257
Publication number (International publication number)：1994349799
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高温処理プロセスにも適応可能で、バックグラインディング後には簡単な操作で容易に剥離しうる保護膜を用いる全自動化可能なバックグラインド方法を提供する。【構成】 (a)分子内に不飽和2重結合を有し、重量平均分子量が200〜50,000の範囲で、アルキレン付加モル数が5以上のポリオキシアルキレン(メタ)アクリレートオリゴマー100重量部及び(b)分子内に不飽和2重結合を1分子あたり2個以上有する多官能アルキレン若しくはアリーレン(メタ)アクリレートモノマー1〜300重量部を必須成分とする樹脂組成物をシリコンウェハーの回路形成した表面に塗布し、次いで樹脂組成物の塗膜に放射線を照射して硬化せしめることにより保護樹脂膜を形成し、次いでシリコンウェハーの背面をグラインドし、グラインドしたシリコンウェハーを水、温水、酸性水溶液又はアルカリ水溶液に浸漬した後、保護樹脂膜を剥離するシリコンウェハーのバックグラインド方法。

Claim (excerpt)：

(a)分子内に不飽和2重結合を有し、重量平均分子量が200〜50,000の範囲で、アルキレン付加モル数が5以上のポリオキシアルキレン(メタ)アクリレートオリゴマー100重量部及び(b)分子内に不飽和2重結合を1分子あたり2個以上有する多官能アルキレン若しくはアリーレン(メタ)アクリレートモノマー1〜300重量部を必須成分とする樹脂組成物をシリコンウェハーの回路形成した表面に塗布し、次いで樹脂組成物の塗膜に放射線を照射して硬化せしめることにより保護樹脂膜を形成し、次いでシリコンウェハーの背面をグラインドし、グラインドしたシリコンウェハーを水、温水、酸性水溶液又はアルカリ水溶液に浸漬した後、保護樹脂膜を剥離することを特徴とするシリコンウェハーのバックグラインド方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 331 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  C08F299/02 MRS ,  C09J 4/00 JBK