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J-GLOBAL ID:200903021197609977
磁気抵抗効果組成物および磁気抵抗効果素子
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
石井 陽一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995345502
Publication number (International publication number):1997074015
Application date: Dec. 08, 1995
Publication date: Mar. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 製造が容易で、膜状およびバルク状のいずれにおいても室温付近で大きなMR比を示す磁気抵抗効果組成物と、これを用いた磁気抵抗効果素子とを提供する。【解決手段】 式I (R<SP>E</SP> <SB>1-a-b</SB> R<SP>I</SP> <SB>a</SB> R<SP>II</SP><SB>b</SB> )<SB>x</SB> Mn<SB>1-c</SB> M<SB>c</SB> O<SB>3</SB> 、式II (R<SP>E</SP> <SB>1-d-e</SB> Na<SB>d</SB> R<SP>II</SP><SB>e</SB> )<SB>x</SB> Mn<SB>1-c</SB> M<SB>c</SB> O<SB>3</SB>(上記式Iおよび式IIにおいて、R<SP>E</SP> はYを含む希土類元素の1種以上、R<SP>I</SP> はLi、K、Rb、Cs、Ag、HgおよびTlの1種以上であるか、これらの1種以上ならびにNa、R<SP>II</SP>はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Cd、B、Al、Ga、InおよびBiの1種以上、MはNi、Co、Cr、Ti、V、Fe、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ta、W、Si、Ge、Sn、AsおよびSbの1種以上であり、0<a≦0.5、0≦b≦0.5、a+b<1、0≦c≦0.5、0<d≦0.5、0<e≦0.5、d+e<1、0.5≦x≦2.0である)で表わされる組成を有する磁気抵抗効果組成物。
Claim (excerpt):
式I (R<SP>E</SP> <SB>1-a-b</SB> R<SP>I</SP> <SB>a</SB> R<SP>II</SP><SB>b</SB> )<SB>x</SB> Mn<SB>1-c</SB> M<SB>c</SB> O<SB>3</SB>(上記式Iにおいて、R<SP>E</SP> はYを含む希土類元素の少なくとも1種、R<SP>I</SP> はLi、K、Rb、Cs、Ag、HgおよびTlの少なくとも1種であるか、Li、K、Rb、Cs、Ag、HgおよびTlの少なくとも1種ならびにNaであり、R<SP>II</SP>はBe、Mg、Ca、Sr、Ba、Pb、Cd、B、Al、Ga、InおよびBiの少なくとも1種であり、MはNi、Co、Cr、Ti、V、Fe、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ta、W、Si、Ge、Sn、AsおよびSbの少なくとも1種であり、a、b、cおよびxはモル比率を表わし、0<a≦0.5、0≦b≦0.5、a+b<1、0≦c≦0.5、0.5≦x≦2.0である)で表わされる組成を有する磁気抵抗効果組成物。
IPC (4):
H01F 10/14
, H01F 1/34
, H01L 43/08
, H01L 43/10
FI (4):
H01F 10/14
, H01L 43/08 M
, H01L 43/10
, H01F 1/34 Z
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