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J-GLOBAL ID：200903021199824751

プラズマCVD装置用サセプタ及びその製造方法

Inventor：
佐 藤 清 志

About 佐 藤 清 志


Applicant, Patent owner：
日本エー・エス・エム株式会社

About 日本エー・エス・エム株式会社


Agent (1)： 竹内 澄夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997163571
Publication number (International publication number)：1998340896
Application date： Jun. 06, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】サセプタへのウエハ基板の吸着を防止し,プロセス安定性及び再現性の高いサセプタを与える。【解決手段】プラズマCVD用のサセプタが与えられる。サセプタ表面は連続して形成された凹部及び凸部を有し,該凸部において急峻な突起部が完全に除去されている。該サセプタはアルミニウムまたはアルミニウム合金から成り,その表面のRa値は1μm≦Ra≦8μmに制御され,サセプタのウエハ保持面積の50〜80%がウエハと接触する。サセプタの表面を粗化処理する方法は,サセプタの表面を機械的に平坦加工する工程と,平坦加工されたサセプタの表面をショットブラスト処理する工程と,ショットブラスト処理されたサセプタの表面を化学的,電気化学的及び/又は機械的に研磨処理する工程とから成る。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD装置用のサセプタであって,該表面は連続して形成された凹部及び凸部を有し,該凸部において急峻な突起部が完全に除去されていることを特徴とするサセプタ。
IPC (4)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68
FI (4)：
H01L 21/31 F ,  C23C 16/44 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • CVD処理用ウエハ収容トレー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-293553   Applicant：日立電子エンジニアリング株式会社
  • 電極材料と、その製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-229692   Applicant：ニッコーシプロダクツ株式会社
  • プラズマCVD装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-335723   Applicant：松下電器産業株式会社

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