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J-GLOBAL ID：200903021213546255

半導体磁気光学材料

Inventor： 秋永 広幸 ,  小野寺 晃一
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  秋永 広幸 ,  株式会社トーキン
Agent (2)： 福田 武通 (外3名) ,  福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997005628
Publication number (International publication number)：1998206811
Application date： Jan. 16, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体磁気光学材料に関し、任意の波長領域で大きな磁気光学効果を示し、その薄膜化も可能なものとする。【解決手段】 薄膜1は、この発明に係る半導体磁気光学材料から成るものであり、ここではMnAs:GaAs膜である。すなわち、磁性体微粒子であるMnAsを、半導体であるGaAs中に分子線エピタキシ法により均一に分散させた膜である。MnAsの粒径は、例えば100Å程度である。この薄膜1を、GaAs基板2の上に成長(あるいは堆積、積層)させた。

Claim (excerpt)：

磁性体微粒子を分散させた半導体から成り、室温で磁気光学効果を示すことを特徴とする半導体磁気光学材料。