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J-GLOBAL ID：200903021235082627

半導体装置

Inventor： 瀧川 貴稔 ,  山中 正策 ,  前田 貴雄 ,  原田 敬三 ,  坂 俊祐
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 鎌田 文二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992084104
Publication number (International publication number)：1993291481
Application date： Apr. 06, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 リードフレーム使用のプラスチックパッケージ形態を用いてノイズ対応に関する性能をセラミック積層パッケージ並みに確保できるようにし、高速素子搭載の半導体装置の量産性の向上、コスト削減等を図る。【構成】 樹脂ボディ7の内部にリードフレーム5と組合わせる複合基板を設ける。この複合基板は、半導体素子11を搭載する金属板1上に素子を囲む積層配線板2を層3で接着するなどして設けた構造にする。また、積層配線板2は樹脂絶縁層2aと金属配線層2bを積層一体化した構造とし、この配線板上に絶縁性テープ4を介してリードフレーム5を接着する。さらに、2の内部又はその表面の配線層2bの部分にチップコンデンサ9やチップ抵抗10を設け、ノイズ低減の必要な半導体素子上電極を2b経由で対応するリードに接続する。この構造であれば、プラスチックパッケージの利点(低価格で量産性に優れる)と、セラミック積層パッケージの利点(ノイズ対応についての性能を充分に確保できる)の双方が生かされて首記の目的が達成される。

Claim (excerpt)：

外部引き出し端子としてリードフレームを用いるプラスチックパッケージ形態の半導体装置であって、樹脂ボディの内部に複合基板を有し、その複合基板は、金属板の半導体素子搭載部の周辺領域の上面に、樹脂絶縁層と金属配線層を各1層以上、金属配線層が上になるように交互に積層してなる積層配線板を一体的に設けた構造とし、前記積層配線板上に前記リードフレームを接着し、さらに、前記積層配線板の内部及び若しくはこの配線板上の少なくとも一部の表面金属配線層にノイズ除去用のコンデンサ、抵抗等の受動素子を具備させたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28