Pat

J-GLOBAL ID：200903021253364621

高周波マグネトロンスパッタ装置

Inventor： 清野 知之 ,  夏井 健一 ,  瀬戸山 英嗣 ,  亀井 光浩 ,  梅原 諭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993236108
Publication number (International publication number)：1995090578
Application date： Sep. 22, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】マグネトロンスパッタ法によって透明導電膜ITOを基板上に形成する場合、ITO膜の組成を基板の位置によらず一様にし、膜質の分布を均一化する。【構成】スパッタ電源を高周波電源とし、酸化インジウム(In2O3)と酸化スズ(SnO2)との混合物をターゲットとしたマグネトロンスパッタ装置において、マグネトロン磁場発生用の内側磁石20に対し、ターゲット17および基板16を介して対向する位置に、互いに反対の極性の磁極が基板16側を向くようにプラズマ制御磁石15を設置する。【効果】プラズマ密度が基板16上で場所によらず略一様になり、膜と反応しやすい活性酸素の密度もほぼ一様となる。そのため、形成中のITO膜と酸素との反応量も基板上の位置によらず略一様にすることができる。その結果、ITO膜の化学量論的組成を基板上の位置によらず略一様にすることができ、抵抗率分布および透過率分布が略均一なITO薄膜を基板上に形成することができる。

Claim (excerpt)：

真空容器と、該真空容器の内部に収納され、所要の膜が形成される基板と、該基板と対向する位置に酸化インジウムと酸化スズとの混合物からなるターゲットと、該ターゲットの裏面に設置され、表面にマグネトロン磁場を形成する磁石と、前記ターゲットに高周波を給電するために接続された電源とを備えた高周波マグネトロンスパッタ装置において、前記マグネトロン磁場形成用の磁石と共に前記基板を挾んで対向する位置に、少なくとも1つの磁場発生手段を設け、該磁場発生手段は、その磁極の方向が該磁場発生手段と対向する位置にある前記マグネトロン磁場形成用の磁石の極性と反対の極性が向かいあうように配置されていることを特徴とする高周波マグネトロンスパッタ装置。