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J-GLOBAL ID：200903021255592168

半導体処理装置

Inventor： 山道 泰明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996108711
Publication number (International publication number)：1997275087
Application date： Apr. 05, 1996
Publication date： Oct. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウェハ等の不処理物の処理を、その洗浄処理も含めて1台の装置で行うことができ、かつ十分なダスト除去効果を得ることができる半導体処理装置を提供する。【解決手段】 装置本体内に処理室と共に後処理室が一体的に設けられている。処理室においてエッチング等の処理がなされた半導体ウェハ19は、後処理室内に設置されたウェハホルダ20により例えば1000rpm程度の速度で回転される。洗浄ノズル21Aは、モータ24およびリンク機構25からなる揺動機構26の動作により半導体ウェハ19の中心部と周縁部との間を移動しながら、洗浄液放出口21aから高圧(20〜40kg/cm2 程度)で洗浄液(薬液または純水)22を放出する。これにより半導体ウェハ19の表面全面のダストが除去される。同時に、半導体ウェハ19の裏面においても洗浄ノズル21Bにより全面に付着したダストが除去される。

Claim (excerpt)：

被処理物をガス雰囲気中において処理するための処理手段を有する処理室と、この処理室において処理が施された被処理物を洗浄するための洗浄手段を有する後処理室とを備えたことを特徴とする半導体処理装置。