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J-GLOBAL ID：200903021256349518

混成集積回路装置

Inventor： 佐藤 秀暁
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231678
Publication number (International publication number)：1993075313
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 接続用金属細線の長さを短くしインダクタンスの影響を少なくして、高周波特性に優れかつ小型化に適した混成集積回路装置を提供すること。【構成】 表面にマイクロ波ストリップライン(7)と第3金属化層(5)とが形成され、裏面に第1金属化層(6)が形成された第1の誘電体基板(2)と、表面が第1の誘電体基板(2)の表面に密接し、裏面に第2金属化層(4)が形成された第2の誘電体基板(3)と、表面がマイクロ波ストリップライン(7)及び第3金属化層(5)の表面と略同一面となるよう、裏面を第1の誘電体基板(2)に形成された穴部に載置した半導体素子(9)と、半導体装置の電極とマイクロ波ストリップライン(7)及び第3金属化層(5)とを略同一面上で接続する金属細線(8)とを設けた。

Claim (excerpt)：

表面にマイクロ波ストリップラインと第3金属化層とが形成され、裏面に第1金属化層が形成された第1の誘電体基板と、表面が前記第1の誘電体基板の表面に密着し、裏面に第2金属化層が形成された第2の誘電体基板と、表面が前記マイクロ波ストリップライン及び前記第3金属化層の表面と略同一面となるよう、裏面を前記第1の誘電体基板に形成された開口部に載置した半導体素子と、前記半導体素子の電極と前記マイクロ波ストリップラインおよび前記第3金属化層とを略同一面上で接続する金属細線とを具備してなる混成集積回路装置。

IPC (3)：

H01P 5/08 ,  H01L 23/04 ,  H01P 3/08