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J-GLOBAL ID：200903021265987535

シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

Inventor： 泉妻 宏治 ,  白井 宏 ,  茶木 勝弘 ,  鹿島 一日児 ,  桐野 好生
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994229766
Publication number (International publication number)：1996097222
Application date： Sep. 26, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 比較的高い酸素濃度範囲のウェーハであっても、デバイス活性層はより無欠陥に、かつバルク部のBMDは低密度であるシリコンウェーハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.5〜1.8×1018atoms/cm3 のシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理温度を1100°C〜1300°C、熱処理時間を1分間〜48時間、熱処理過程中1000°Cから1300°Cの温度範囲内における昇温速度を15〜100°C/minの条件で熱処理を施す。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.5〜1.8×1018atoms/cm3 のシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理温度を1100°C〜1300°C、熱処理時間を1分間〜48時間、熱処理過程中1000°Cから1300°Cの温度範囲内における昇温速度を15〜100°C/minの条件で熱処理を施すことによって、ウェーハ表面から少なくとも深さ10μm以上にわたって大きさが20nm以上のBMDが103 個/cm3 以下である無欠陥層を有し、ウェーハ内部バルク部の酸素析出物密度[BMD]が、[BMD]≧1×103 個/cm3 、かつ[BMD]≦exp{9.210×10-18 ×[Oi]+3.224}個/cm3 であるウェーハを製造することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/324