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J-GLOBAL ID：200903021281905840

透明導電膜及びその形成方法

Inventor： 安藤 正彦 ,  鬼沢 賢一 ,  西村 悦子 ,  高畠 勝 ,  安生 健二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995200637
Publication number (International publication number)：1997050712
Application date： Aug. 07, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【構成】酸素欠乏したITOターゲット3、及び水蒸気と水素の混合ガスからなる雰囲気ガスを用いて、スパッタ法で非晶質ITO薄膜を形成する。【効果】膜中に存在する酸素に対する水素の比率が増加する結果、微結晶量が低減する。

Claim (excerpt)：

水素を含有する非晶質構造のIn-Sn-O系透明導電膜において、In及びSnに対するOの組成比が3/2よりも小さく、しかも、Oに対するHの組成比が0.01 以上であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (5)：

H01B 5/14 ,  C01G 15/00 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503

FI (5)：

H01B 5/14 A ,  C01G 15/00 B ,  C23C 14/08 D ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503 B