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J-GLOBAL ID：200903021285218180

単結晶サファイヤ基板の切断方法および切断装置

Inventor： 小川 秀樹 ,  仲井 正徳
Applicant, Patent owner： 株式会社アライドマテリアル
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002129971
Publication number (International publication number)：2003320521
Application date： May. 01, 2002
Publication date： Nov. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】単結晶サファイヤ基板の超砥粒ワイヤソーによる切断加工において、(0001)面(c面)に平行な方向に高精度な切断加工を可能にする切断加工法と、その切断装置を提供する。【解決手段】超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が、単結晶サファイヤの(0001)面(c面)に対して平行で、超砥粒ワイヤソーの走行方向が(11-20)面(a面)に対して平行に設定することにより、(0001)面(c面)に平行な方向に高精度な切断加工を可能にする。ここで、超砥粒ワイヤソーの切り込み方向、および走行方向は、これら基準面と超砥粒ワイヤソーが完全に平行な方位から5度以内であることが好ましく、2度以内であることがより好ましい。また、加工液としては、水溶性加工液は、早い切断速度が得られ、安定した切断加工を可能にする。

Claim (excerpt)：

超砥粒ワイヤソーによる、(0001)面(c面)を主面とする単結晶サファイヤ基板の切断方法であって、超砥粒ワイヤソーの切り込み方向が(0001)面(c面)に対して平行で、超砥粒ワイヤソーの走行方向が(11-20)面(a面)に対して平行であることを特徴とする単結晶サファイヤ基板の切断方法。

IPC (4)：

B28D 5/04 ,  B24B 27/06 ,  C30B 29/20 ,  C30B 33/00

FI (7)：

B28D 5/04 C ,  B24B 27/06 D ,  B24B 27/06 F ,  B24B 27/06 H ,  B24B 27/06 S ,  C30B 29/20 ,  C30B 33/00

F-Term (16)：

3C058AA05 ,  3C058AA11 ,  3C058AA13 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA03 ,  3C069AA01 ,  3C069BA06 ,  3C069CA02 ,  3C069CB01 ,  3C069EA02 ,  4G077AA02 ,  4G077BB01 ,  4G077FG13 ,  4G077FG16