膜電極の作製方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000516391
Publication number (International publication number)：2001520446
Application date： Sep. 04, 1998
Publication date： Oct. 30, 2001
Summary：

【要約】多孔質膜にイオン伝導性電解質を部分的に充填して部分充填膜を作製し、次に部分充填膜から空隙体積をなくし、部分充填膜に電極粒子を埋め込むように部分充填膜を電極粒子と圧縮することによる、多孔質膜およびイオン伝導性電解質の両方を含む複合膜を使用した膜電極の作製方法を提供する。本発明の膜電極は、プロトン交換膜燃料電池、電解槽、塩素アルカリ分離膜などを含む電気化学的装置への使用に適している。

Claim (excerpt)：

a)多孔質膜にイオン伝導性電解質を部分的に充填して部分充填膜を作製する工程と; b)前記部分充填膜から空隙体積をなくし、前記電極粒子を前記部分充填膜に埋め込むように前記部分充填膜と電極粒子を互いに圧縮する工程とを含む膜電極アセンブリの作製方法。

IPC (7)：

H01M 4/88 , C25B 9/00 , C25B 11/04 , G01N 27/28 , G01N 27/28 331 , H01M 4/86 , H01M 8/10

FI (7)：

H01M 4/88 C , C25B 11/04 A , G01N 27/28 Z , G01N 27/28 331 D , H01M 4/86 H , H01M 8/10 , C25B 9/00 E

F-Term (52)：

4K011AA15 , 4K011BA04 , 4K011CA01 , 4K011DA03 , 4K021AA03 , 4K021AB01 , 4K021BA03 , 4K021DB11 , 4K021DB32 , 4K021DB43 , 5H018AA06 , 5H018AS01 , 5H018BB01 , 5H018BB03 , 5H018BB05 , 5H018BB06 , 5H018BB07 , 5H018BB09 , 5H018CC06 , 5H018DD01 , 5H018DD08 , 5H018DD10 , 5H018EE01 , 5H018EE02 , 5H018EE03 , 5H018EE05 , 5H018EE10 , 5H018EE11 , 5H018EE12 , 5H018EE17 , 5H018EE18 , 5H018EE19 , 5H018HH00 , 5H018HH03 , 5H026AA06 , 5H026BB01 , 5H026BB02 , 5H026BB03 , 5H026BB04 , 5H026CX04 , 5H026CX05 , 5H026EE01 , 5H026EE02 , 5H026EE05 , 5H026EE08 , 5H026EE11 , 5H026EE12 , 5H026EE14 , 5H026EE18 , 5H026EE19 , 5H026HH00 , 5H026HH03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

高分子固体電解質・電極接合体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-303672 Applicant：ジャパンゴアテックス株式会社
特開昭62-196389
ナノ構造電極メンブレン
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平6-515191 Applicant：ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー

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