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J-GLOBAL ID：200903021295912289
容量素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992032212
Publication number (International publication number)：1993235296
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 容量素子の電極間のリーク電流を低減することにある。【構成】 半導体基板上にMOSトランジスタを形成後に強誘電体薄膜を成膜し、加工しその強誘電体の結晶成長方向と平行に電極を形成し容量素子を構成する。この容量素子の一方の電極102はMOSトトランジスタに電気的に接続され、他方の電極101はプレート電極と接続しDRAMまたはFRAMを構成する。本構成によれば結晶成長方向と垂直に電極を形成した場合に比べ電極間のリーク電流が著しく減少し、DRAMまたはFRAMに用いた場合に良好なメモリ特性を得ることができる。
Claim (excerpt)：
電界エネルギを蓄える誘電体と、該誘電体に両側から当接し前記電界エネルギを印加する電極とを有する容量素子において、前記誘電体の結晶粒界の形状が細長であり、該結晶粒界の細長い方向と垂直に電界を印加するように前記電極を配置したことを特徴とする容量素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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