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J-GLOBAL ID：200903021303725663

強誘電体薄膜素子、それを用いた半導体装置、及び強誘電体薄膜素子の製造方法

Inventor： 横山 誠一 ,  伊藤 康幸 ,  牛久保 真帆 ,  木場 正義
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062538
Publication number (International publication number)：1997260612
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、従来より低いアニール温度で十分に高い自発残留分極と十分に低い抗電界を実現でき、高集積FRAMに適用可能な強誘電体薄膜素子、それを用いた半導体装置、及び強誘電体薄膜素子の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 基板1上に電極薄膜2、6及び強誘電体薄膜5を具備した強誘電体薄膜素子において、記強誘電体薄膜5が3層以上の複数の層5a,5b,5cから成り、該複数の層のうちの少なくとも一層5bの構成元素の組成が他の層5a,5cの構成元素の組成と異なる共に、該他の層5a,5cのうち二層以上の構成元素の組成が同じであり、かつ他の層5a,5cと構成元素の組成が異なる少なくとも一層5bが他の層5a,5cよりも抵抗率が高いこととしている。

Claim (excerpt)：

基板上に電極薄膜及び強誘電体薄膜を具備した強誘電体薄膜素子において、前記強誘電体薄膜が3層以上の複数の層から成り、該複数の層のうちの少なくとも一層の構成元素の組成が他の層の構成元素の組成と異なると共に、該他の層のうち二層以上の構成元素の組成が同じであり、かつ他の層と構成元素の組成が異なる少なくとも一層が他の層よりも抵抗率が高いことを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (3)：

H01L 27/115 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-163134   Applicant：株式会社東芝
• 強誘電体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-167860   Applicant：セイコーエプソン株式会社