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J-GLOBAL ID：200903021311439343

有機薄膜トランジスタ

Inventor：
平井 桂

About 平井 桂


Applicant, Patent owner：
コニカミノルタホールディングス株式会社

About コニカミノルタホールディングス株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002146036
Publication number (International publication number)：2003338629
Application date： May. 21, 2002
Publication date： Nov. 28, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 デバイスが用いられる環境下において安定して作動する有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 支持体1上に形成されたゲート電極2,ゲート電極を覆うゲート絶縁層3,ソース電極4,ドレイン電極5およびゲート絶縁膜上に形成された有機半導体層6を有する有機薄膜トランジスタにおいて,エチレン-ビニルアルコール共重合体からなる封止膜7により,少なくとも前記有機半導体層を封止する。【効果】高湿下でリーク電流が低いとともにON/OFF比が高い良好なスイッチング特性を有する有機薄膜トランジスタが実現される。
Claim (excerpt)：
支持体上に形成されたゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、実質的にエチレン-ビニルアルコール共重合体からなる封止膜により、少なくとも前記有機半導体層が封止されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/312 ,  H01L 51/00
FI (4)：
H01L 21/312 A ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28
F-Term (35)：
5F058AA04 ,  5F058AB10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AF10 ,  5F058AG01 ,  5F058AH03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110AA21 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG41 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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