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J-GLOBAL ID:200903021313609505

副入出力線を有するデータ伝送回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高月 猛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991339469
Publication number (International publication number):1993028767
Application date: Nov. 29, 1991
Publication date: Feb. 05, 1993
Summary:
【要約】【目的】 半導体集積回路において、高集積化と高速動作の両立を実現できるデータ伝送回路を提供する。【構成】 一つ以上のビット線対に接続された副入出力線対と、副入出力線と入出力線との間にMOSトランジスタからなるプリアンプを具備して、これをチップのストラッピングエリアに設置するようにして、微弱なビット線の電位を副入出力線からプリアンプを介して増幅してから入出力線で出力するようにする。
Claim (excerpt):
メモリーセルと、メモリーセルにデータを伝送するビット線対と、ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプと、データ入出力のための一対の入出力線とをもっており、所定の制御信号によってメモリーセルのデータの入出力が制御される半導体集積回路におけるデータ伝送回路において、一つ以上のビット線対に接続された副入出力線対と、副入出力線対と入出力線対との間に接続されて、副入出力線の電位を入出力線に又は入出力線の電位を副入出力線に、増幅して伝送するプリアンプと、を具備したことを特徴とするデータ伝送回路。
IPC (2):
G11C 11/409 ,  G11C 11/401
FI (2):
G11C 11/34 354 A ,  G11C 11/34 362 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開昭63-200391
  • 特開平3-283184
  • 特開昭58-125291
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