ナノドット形成方法、ナノドットを備えるメモリ素子の製造方法、ナノドットを備えるチャージトラップ層及びこれを備えるメモリ素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008262228
Publication number (International publication number)：2009099982
Application date： Oct. 08, 2008
Publication date： May. 07, 2009
Summary：

【課題】ナノドット形成方法、ナノドットを備えるメモリ素子の製造方法、ナノドットを備えるチャージトラップ層及びこれを備えるメモリ素子を提供する。【解決手段】コアを形成する第1ステップと、コア表面をポリマーでコーティングする第2ステップと、ポリマーコーティングされたコアを熱処理してコア表面を覆うグラフェン層を形成する第3ステップと、を含むナノドット形成方法。第3ステップ以後に前記コアを除去してもよい。かかるコア表面をポリマーでコーティングする前にコア表面を黒鉛化触媒物質でコーティングしてもよい。また、かかるコアは、電荷トラップ及び黒鉛化触媒機能を持つ金属粒子を含むか、電荷トラップ機能を持つ金属粒子を含みうる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

コアを形成する第1ステップと、前記コア表面をポリマーでコーティングする第2ステップと、前記ポリマーコーティングされたコアを熱処理して前記コア表面を覆うグラフェン層を形成する第3ステップと、を含むナノドット形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/824 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

F-Term (13)：

5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083JA02 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA60 , 5F083PR33 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

炭素組成物、当該組成物を含有する複合材料および分散体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-087979 Applicant：三菱化学株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-026780 Applicant：株式会社リコー
金属微粒子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-228993 Applicant：日立金属株式会社

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