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J-GLOBAL ID：200903021331414169

ECRドライエツチング装置

Inventor： 木村 忠司 ,  宝珍 隆三
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255178
Publication number (International publication number)：1993094971
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体微細加工に使用されるECRドライエッチング装置において、ダストの発生を解決し、LSI等の歩留りの向上と、チャンバーメンテナンスレスとし、生産性の向上を目的とする。【構成】 プラズマと接するプラズマ処理室1の加熱機構を設け、プラズマと接するプラズマ処理室内壁を加温コントロールすることにより、低ダストのエッチングが可能となる。

Claim (excerpt)：

反応ガスを電子サイクロトロン共鳴によりプラズマ化し、被処理基板をエッチングあるいは膜堆積するECRプラズマ処理装置において、プラズマ処理室の内壁を加熱コントロールすることを特徴とするECRドライエッチング装置。

IPC (5)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  G01N 24/14 ,  G01R 33/64 ,  H05H 1/46