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J-GLOBAL ID：200903021332215470

パターン形成方法および形成装置

Inventor： 竹元 一成 ,  平岩 知子 ,  大坪 徹 ,  押田 良忠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994208466
Publication number (International publication number)：1995254556
Application date： Sep. 01, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】被加工膜の種類によらずパターン化が可能な全ドライプロセスによる、工程数および工程間の短縮や、ゴミが付着する機会の減少による製造歩留まり向上に有効なパターン形成方法と、安全上取扱い易い化合物を用いた全ドライ一貫プロセスによるパターン形成装置とを提供する。【構成】フォトエッチング工程の各工程をドライプロセスで一貫して行うパターン形成方法において、フォトレジストを形成する工程を、真空排気下で、安全上取扱い易い有機化合物を気化させる段階と、気化した有機化合物を分解させる段階とで構成し、ドライプロセスでフォトレジスト膜を形成する。また、フォトレジストパターンの形成および除去工程も、有機化合物を分解させるに十分なエネルギーを有する電磁波を、フォトレジスト膜に照射して、有機化合物を気化分解して除去するドライプロセスで構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に被加工膜を堆積する第1の工程と、被加工膜上にフォトレジストを形成する第2の工程と、フォトレジストに所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光を行う第3の工程と、露光後のフォトレジストを現像する第4の工程と、第3の工程および第4の工程により得られたフォトレジストパターンをマスクにして被加工膜をエッチングする第5の工程と、フォトレジストパターンを除去する第6の工程とを少なくとも含むフォトエッチングプロセスを全ドライ一貫プロセスとするパターン形成方法において、前記第2の工程は減圧下の非酸化性雰囲気で、固体もしくは液体のSiを含む有機化合物を気化させる段階と、気化した有機化合物を分解してSiラジカルを生成させる段階と、分解生成したSiラジカルを反応させて再結合することにより、被加工膜上にSi-Si結合を有する有機化合物から成るフォトレジストを成膜させる段階とを有して成り、前記第3の工程および第4の工程は、前記有機化合物のSi-Si結合を解裂するに十分なエネルギーを有する電磁波を、前記マスクを介してフォトレジストに照射することによって露光と共に現像を進行させる段階を有するフォトレジストマスクパターン形成工程から成るパターン形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

H01L 21/30 569 H ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 515 B ,  H01L 21/30 567 ,  H01L 21/302 H