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J-GLOBAL ID：200903021335750449

半導体装置

Inventor： 小角 博義 ,  北村 輝夫 ,  石井 利昭 ,  宝蔵寺 裕之 ,  尾形 正次 ,  瀬川 正則 ,  江口 州志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010741
Publication number (International publication number)：1993206325
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】樹脂成分と気体あるいは気体含有充填剤からなる樹脂組成物、及び樹脂組成物で封止または誘電率を大幅に低下させる。【構成】熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂と気体から成る樹脂組成物において、気体を体積分率で5〜90%含有させる。気体は単独あるいは充填剤を介して含有されていても良い。

Claim (excerpt)：

樹脂成分と気体とを含む樹脂組成物において、50°C,1MHz〜50GHzにおける前記樹脂組成物の誘電率は3.5 以下である低誘電率樹脂組成物で、少なくとも半導体素子を保護した構造を呈していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-039117
  
• 特開昭61-016302