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J-GLOBAL ID：200903021338947766

半導体微構造の形成方法

Inventor： 幸 康一郎 ,  森田 清之 ,  森本 廉 ,  平井 義彦 ,  空田 晴之
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997119270
Publication number (International publication number)：1998312985
Application date： May. 09, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 切れ込みを有するマスクを用いて、異方性エッチングにより、幅の狭い半導体微構造を制御性良く形成する。【解決手段】 半導体微構造104の形成方法は、上部に半導体層204が形成されている基板上に、第1の開口部221と第2の開口部222とを持ったマスクパターン103、203を形成する。マスクパターン103、203を用いて、半導体層204を選択的にエッチングすることによって、基板の表面に平行な第1方向に延びる半導体微構造104を形成する。エッチング工程において、第1方向に垂直かつ基板の表面に平行な第2方向におけるエッチング速度は、第1方向におけるエッチング速度に対して、実質的にゼロである。半導体微構造104の幅mは、第1の開口部221と第2の開口部222との間の、第2方向における最短距離Mに実質的に同一である。

Claim (excerpt)：

半導体微構造の形成方法であって、上部に半導体層が形成されている基板上に、第1の開口部と第2の開口部とを持ったマスクパターンを形成する工程と、該マスクパターンを用いて、該半導体層を選択的にエッチングすることによって、該基板の表面に平行な第1方向に延びる半導体微構造を形成する工程と、を包含しており、該エッチング工程において、該第1方向に垂直かつ該基板の表面に平行な第2方向におけるエッチング速度は、該第1方向におけるエッチング速度に対して、実質的にゼロであり、該半導体微構造の幅は、該第1の開口部と該第2の開口部との間の、該第2方向における最短距離に実質的に同一である、半導体微構造の形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66

FI (7)：

H01L 21/306 B ,  H01L 27/12 F ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66 ,  H01L 21/306 U ,  H01L 21/76 R ,  H01L 27/08 102 C