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J-GLOBAL ID：200903021340298414

半導体装置の製造方法

Inventor： 長山 哲治 ,  辰巳 哲也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993065114
Publication number (International publication number)：1994275581
Application date： Mar. 24, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 単極式静電チャックを用いてウェハをウェハ・ステージ上に保持しながらホール加工を行った後、下地選択性を劣化させずに残留電荷除去を行う。【構成】 c-C4 F8 /CH2 F2 混合ガスのプラズマを用いてSiO2 層間絶縁膜3をエッチングしてコンタクト・ホール6を形成した後、上記混合ガスの供給を止め、H2 プラズマを生成させて無バイアス条件下で残留電荷を放電させる。このプラズマ中のH* により上記フルオロカーボン系ガスの残留分から生成するF* が捕捉され、HFの形で排気除去されるので、不純物拡散領域2の露出面が浸触されない。H2 に替えてCOを用いれば、F* はCOF(フッ化カルボニル)の形で除去され、H2 S,COS(硫化カルボニル)等のようにS(イオウ)を堆積できるガスを用いれば、Sの堆積により下地選択性がさらに向上する。

Claim (excerpt)：

プラズマ装置の処理チャンバ内で単極式静電チャックを備えたウェハ・ステージ上に保持されたウェハに対し、処理ガスから生成したプラズマを用いて所定のプラズマ処理を行った後、該単極式静電チャックの残留電荷を除去する半導体装置の製造方法において、前記残留電荷を除去する残留電荷除去工程の少なくとも初期に、フッ素系化学種を捕捉可能な化学種を含むプラズマを生成させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-243188
  
• 特開昭57-157525
  
• 特開平3-243188
  
• 特開昭57-157525