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J-GLOBAL ID：200903021344718981
N×Mスプリッタ導波路素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995220295
Publication number (International publication number)：1997061648
Application date： Aug. 29, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】 低損失のN×Mスプリッタ導波路素子を提供する。【解決手段】 基板上に、導波路を分岐させると共に湾曲させて多数の導波路となるよう光回路12を形成したN×Mスプリッタ導波路素子11において、出力側導波路の湾曲部Cbの曲率半径を各導波路毎に段階的に変える。
Claim (excerpt)：
基板上に、導波路を分岐する分岐部と分岐させた複数本の導波路を湾曲させる湾曲部とを有する光回路を形成したN×Mスプリッタ導波路素子において、上記導波路の湾曲部の曲率半径を各導波路毎に段階的に変えることを特徴とするN×Mスプリッタ導波路素子。
Patent cited by the Patent：
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